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彩霸王论坛57976一种单PN结的场效应管研发成功

更新时间:2021-06-10

  众所周知,晶体管要分成多种类型。其中,MOSFET作为基础器件由于其优越性能得到了广泛的应用。但是目前使用的场效应管存在两个被学术界称为PN结的结构。正常工作时源极和衬底间的PN结始终处于正向导通状态,所以在一般情况下,场效应管的源极和衬底是连接在一起的,由此源极和衬底间的PN结并没有在电路中起作用。

  他们据此提出了一项专利申请,制造一种只有一个PN结的场效应管,能够完全取代现有结构的场效应管彩霸王论坛57976。简化场效应管的结构、降低成本并提高集成度。


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